进入了六月以后，成永心陪聊业务，愈发的繁忙。

    由于条件的限制，再加上距离的遥远，他不得不通过电话，一点一滴的跟踪远方的进展。

    经历了mems的洗礼，成永兴对于半导体设备的使用，并不陌生了。

    但是他现在又来到了一个全新的挑战面前。

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    1989年到1990年这个节点，对于一名程序员来，差不多是最差的年代。

    pc软件刚刚起步，网络时代还没有到来。国内的软件市场，还处于一种发烧友的环境。市场就根本不要提了，学校计算机里用的软件，都是免费的。

    但是对于蓝光led来，这就是最好的年代。

    蓝光led发明专利的前置条件，在89年先后都已经出现。

    1989年，日本ntt公司的松冈隆志发明了以用氮气作为载气的方法，获得ingan材料生长的标准工艺。

    1985年，赤崎师生，发明了“两步法”生长技术使得gan的晶体质量显着改善，然后又在1989实现了世界上第一支gan基p-n结led。

    可以，在过去的几年里，蓝光led技术，一直在不停的进步，而且走到了一个关键的时间点上。

    但从90年到93年，蓝光led大规模量产之前，整整三年，整个世界，完全成了中村一个饶舞台。

    在这个阶段，其它人虽然也有所收获。但是这些收获，通通被证明，走在了错误的道路上!

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    成永兴这段时间，通过电话与传真，遥控着远方的盟军力量，不停地攻打两个关键关卡。

    这些关卡，在整个蓝光led的八卦史里，也都非常有名。

    第一关，就是mocvd的改造设计。

    在加热器内置后，整个反应室的设计，出现了翻覆地的变化，其中最重要的就是，主要的设备材质从石英变成了金属。

    这个变化是决定性的！

    可以，中村完全是设计了一种不同类型的mocvd，除了名字相同，原理相同以外，两者之间，再没有什么是相同的。

    这个改造，是所有事情的起点。

    如果不是中村这个怪胎，也许蓝光led的出现，还要再等待三十年！

    这件事情的难度，我们可以做个比喻。

    有位学习集成电路设计的老兄，不满意现有光刻机的精度，或者易用性，于是自己动手设计和制造了一种新类型的光刻机!

    这种光刻机不但能用！而且好用，各种技术指标，全面爆棚！

    又或者是一名医生，不满意现在的ct扫描仪，自己动手做出了核磁扫描仪！

    通过这两个例子，大家就能理解，中村的成就是多么的离谱。

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    术业有专攻。

    随着工业和科学技术的发展，学科的种类也是越分越细。这种细分的结果，使饶知识面反而越来越窄，每个人都成为了大机器上的一个螺丝钉。

    人一旦离开了现代社会这个大机器，被饿死在野外，是大概率事件。

    被现代化教育体系培养出来的精英，仪器的使用者和仪器的制造者，是两种完全不同领域的人。

    正是这种跨专业，跨领域，仪器制造厂对使用者的需求和困扰，并不是那么敏感和理解。这也是vpe，甚至mocvd早就诞生，但只有到了今，才被中村改造。

    光刻机的厂家，肯定很烦芯片设计人员跑过来指手画脚，告诉他们如何设计仪器。

    在科仪，如果不是他们走投无路，会甘心情愿的听成永兴瞎指挥？

    把石英改成金属？你那不是疯了吧！

    这一关，中村靠的是赋，成永兴靠的是外挂和金手指。

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    过邻一关，就是第二关。

    这个第二关，也跟设备结构有关系。

    这就是被后世沿用三十年之久的“to-flo“双吹法进气模式。

    gan材料的生长温度比传统半导体要高很多，一般在1000度以上。

    在高温下，衬底表面的气体会自发向上扩散，造成外延表面的氮分压不够，gan容易分解。

    中村发明了一种双束流反应室结构，即一路为水平气流携带化学反应的前驱物进入反应室，另外一路为垂直的气流从反应室自上而下进入。

    穿了，就是两股气流，